文献

J-GLOBAL ID：201102238939934088   整理番号：11A0174204

Niドープ(0.8-x)PMT-0.2PZ-xPT三元系のモルホトロピック相境界近傍の誘電性と構造

The Dielectric Properties and Structure of Ni-Doped (0.8-x)PMT-0.2PZ-xPT Ternary System Near Morphotropic Phase Boundary

著者 (5件)： HAO Hua (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  LIU Hanxing (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  CAO Minghe (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  YU Zhiyong (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  SHIXI Ouyang (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 403  ページ： 584-589,740  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (0.8-x)PMT-0.2PZ-xPT(x=0.4)固溶体を高純度酸化物から合成し,モルホトロピック相境界(MPB)をX線回折により調べた。Niドープすると,格子定数c/a比はほぼ同じ(約1.009)であったが,cとaは何れも減少し,格子収縮を示唆した。Niドーピング量が上限(y=0.005)に達すると,ドープ試料の正方晶相の含有率は最高81.1%増加し,誘電率は4570に上昇し,Curie温度は175°Cから157°Cに低下した。

シソーラス用語： チタン酸鉛 ,  *強誘電体 ,  強誘電性 ,  *相境界 ,  ドーピング ,  結晶構造 ,  *誘電率 ,  Curie温度 ,  マグネシウム化合物 ,  タンタル化合物 ,  X線回折 ,  格子定数
準シソーラス用語： *モルホトロピック相境界

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ni ,  ドープ ,  モルホトロピック相境界 ,  近傍 ,  誘電性