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J-GLOBAL ID：201102239056319657   整理番号：11A0096892

65nm CMOSを使った,起動回路に順バイアス基板印加のある0.18V入力の電荷ポンプ

0.18-V Input Charge Pump with Forward Body Biasing in Startup Circuit using 65nm CMOS

著者 (7件)： CHEN Po-Hung (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ISHIDA Koichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ZHANG Xin (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OKUMA Yasuaki (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN) ,  RYU Yoshikatsu (Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN) ,  TAKAMIYA Makoto (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAKURAI Takayasu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference  (Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference)
巻： 2010  ページ： 222-225  発行年： 2010年 
JST資料番号： H0843A  ISSN： 0886-5930  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電圧動作の昇圧コンバータ用の,順バイアス基板印加付きの電荷ポンプ回路を述べた。全部のMOSFETに順バイアスを印加することにより,ポンピング効率を改善できると述べた。65nm CMOSプロセスで実装した回路の実験結果を示し,提案した電荷ポンプは,面積オーバヘッド1.5%で出力電流を150%以上改善できることを報告した。提案した電荷ポンプを接続した昇圧コンバータは,入力0.18Vを出力0.74Vにキックアップできた。本手法は,低い電圧しか得られない環境発電用途に適していると述べた。

シソーラス用語： 励起 ,  *直流電源 ,  *DC-DCコンバータ ,  CMOS構造 ,  回路合成 ,  MOS集積回路 ,  回路特性
準シソーラス用語： 昇圧コンバータ ,  昇圧チョッパ ,  電荷ポンプ

分類 (1件)： 電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： CMOS ,  起動回路 ,  順 ,  バイアス ,  印加 ,  電荷ポンプ