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J-GLOBAL ID：201102239284590727   整理番号：11A0341220

Si3N4窒化物膜周辺基質およびSiO2ガラス基質界面による注入窒素の反応検索のN同位体深さ特性の解析

Analysis of N isotope depth profiles in search for reaction of implanted nitrogen with substrate near Si3N4-nitride-film and SiO2-glass-substrate interface

著者 (8件)： MATSUNAMI N ,  MURASE T ,  TAZAWA M ,  NINAD S ,  FUKUOKA O ,  SHIMURA T ,  SATAKA M ,  CHIMI Y
資料名： NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
巻： 249  ページ： 185-188  発行年： 2006年 
JST資料番号： O5033A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (12件)： Si3N4 ,  窒化物膜 ,  周辺 ,  基質 ,  SiO2 ,  ガラス ,  界面 ,  注入 ,  窒素 ,  検索 ,  同位体 ,  解析