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J-GLOBAL ID：201102239894150249   整理番号：11A1138536

シリコン上のマイクロストリップアンテナの減衰機構

AttenuationM echanisms of M icrostrip Antenna on Silicon

著者 (5件)： Yao Keming (School of Mechatronics Engineering of Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu) ,  Liu Xiaoming (School of Mechatronics Engineering of Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu) ,  Zhu Zhonggan (School of Mechatronics Engineering of Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu) ,  Zhao Mingrui (School of Mechatronics Engineering of Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu) ,  Cao Shijian (School of Mechatronics Engineering of Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Chengdu)
資料名： Chuangan Jishu Xuebao  (Chuangan Jishu Xuebao)
巻： 23  号： 5  ページ： 639-642  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2450A  ISSN： 1004-1699  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： シリコンに基づくマイクロストリップアンテナには,高い損失,低い効率性,および低利得の問題が存在した。5つの主要な部分はこの結果に関与した。1.アンテナパッチとマッチングマイクロストリップの導体損失,2.メディア誘電損失,3.表面波損失,4.半導体基板の抵抗損失,5.基板と絶縁被膜のインタフェイスでキャリア運動に起因するインタフェイス損失。各々の種類の損失の減衰機構の解析に基づいて,対応する損失計算モデルとトータル損失におけるその割合について研究した。また,損失を減少する有効な手段を提供した。実験結果は,基板に関する多結晶シリコン薄膜の層の成長方法がこの損失を効果的に減少することができることを示した。この基板は,低誘電率基板で混合した高抵抗シリコンであった。これらの全てを,マイクロマシン(MEMS)技術によって実施することができた。本シリコンベースのマイクロストリップアンテナ要素効率性は,87%に達することができて,8dBに至った。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *パッチアンテナ ,  ケイ素 ,  ポリシリコン ,  インタフェイス ,  マイクロマシン ,  部材 ,  マッチング ,  計算モデル ,  抵抗損
準シソーラス用語： *マイクロストリップアンテナ ,  シリコン ,  多結晶シリコン ,  アンテナ要素 ,  抵抗損失

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  マイクロストリップアンテナ ,  減衰