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J-GLOBAL ID：201102240009053094   整理番号：11A0154349

エリオクロムブラックTをドーピングしたポリ(ベンゾピレン)膜のPb²⁺感応センサとしての電気化学的挙動

Electrochemical Behaviour of Poly(benzopyrene) Films Doped with Eriochrome Black T as a Pb²⁺-Sensitive Sensors

著者 (9件)： LISAK Grzegorz (Abo Akademi Univ., Abo, FIN) ,  LISAK Grzegorz (Graduate School of Chemical Sensors and Microanalytical Systems (CHEMSEM)) ,  WAGNER Michal (Abo Akademi Univ., Abo, FIN) ,  WAGNER Michal (Graduate School of Materials Res. (GSMR)) ,  KVARNSTROEM Carita (Turku Univ. Centre for Materials and Surfaces, Turku, FIN) ,  BOBACKA Johan (Abo Akademi Univ., Abo, FIN) ,  IVASKA Ari (Abo Akademi Univ., Abo, FIN) ,  LEWENSTAM Andrzej (Abo Akademi Univ., Abo, FIN) ,  LEWENSTAM Andrzej (AGH-Univ. Sci. and Technol., Cracow, POL)
資料名： Electroanalysis  (Electroanalysis)
巻： 22  号： 23  ページ： 2794-2800  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： T0736A  ISSN： 1040-0397  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エリオクロムブラックT存在下でベンゾ(a)ピレンからポリ(ベンゾピレン)膜をガラス状炭素円盤電極に電解重合し,サイクリックボルタンメトリーによってPb²⁺感応センサとしての電気化学的挙動を調べた。実験の結果,高濃度鉛(0.1mol dm^-3Pb(NO₃)₂)中で膜をコンディショニングすることで,新しい鉛感応電極では最小濃度10^-5moldm^-3Pb²⁺まで電位差測定できることが分かった。この鉛感応電極は安定で検量線の再現性も良好であり,ヒステリシスの影響も小さく,ポリエチレンジオキシチオフェンやポリピロロールベース電極よりも優れた性能を示した。

シソーラス用語： ポリエチレンジオキシチオフェン ,  ポリピロール ,  *ポリアリーレン ,  電気化学的挙動 ,  電解重合 ,  条件付け ,  *鉛化合物 ,  金属イオン ,  *電位差測定法 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  炭素電極 ,  *電気化学センサ ,  ヒステリシス ,  ドーピング ,  錯体生成 ,  高感度 ,  定量分析 ,  測定精度 ,  性能評価 ,  比較試験 ,  電極材料 ,  高分子膜 ,  スルホン酸 ,  芳香族ニトロ化合物 ,  アゾ化合物 ,  フェノール類 ,  芳香族縮合化合物 ,  芳香族縮合炭化水素
準シソーラス用語： ガラス状炭素電極 ,  コンディショニング ,  *ポリベンゾピレン ,  鉛イオン

分類 (1件)： 無機化合物の電気分析  (CC05024D)

物質索引 (2件)： エリオクロムブラックT ,  ベンゾ[a]ピレン

タイトルに関連する用語 (5件)： エリオクロムブラックT ,  ドーピング ,  ベンゾピレン ,  感応センサ ,  電気化学的挙動