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J-GLOBAL ID：201102240333365139   整理番号：11A0171553

BiFeO₃薄膜のZn-Mn同時ドーピングによる強誘電及び漏れ電流特性の改善

Improvement of Ferroelectric and Leakage Current Properties with Zn-Mn Co-doping in BiFeO₃ Thin Films

著者 (10件)： LEE M.H. (Changwon Nat’l Univ., Gyeongnam, KOR) ,  LEE S.C. (Changwon Nat’l Univ., Gyeongnam, KOR) ,  SUNG Y.S. (Changwon Nat’l Univ., Gyeongnam, KOR) ,  KIM M.-H. (Changwon Nat’l Univ., Gyeongnam, KOR) ,  SONG T.K. (Changwon Nat’l Univ., Gyeongnam, KOR) ,  KIM W.-J. (Changwon Nat’l Univ., Gyeongnam, KOR) ,  DO D. (Changwon Nat’l Univ., Gyeongnam, KOR) ,  KIM S.S. (Changwon Nat’l Univ., Gyeongnam, KOR) ,  CHO J.H. (Pukyong Nat’l Univ., Busan, KOR) ,  CHOI B.C. (Pukyong Nat’l Univ., Busan, KOR)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 401  ページ： 186-191,275-277  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ堆積により標記による組成が異なるBFO薄膜を作製し,Zn-Mnの同時ドーピング効果を調べた。0~20mol%Bi過剰のBFO,及び(Bi_0.99Zn_0.01)(Fe_0.99Mn_0.01)O₃による前駆体セラミックを作製し,それぞれをPt(111)/TiO₂/SiO₂/Si基板上に成膜した。いずれもペロブスカイト構造の多結晶膜であり,Bi過剰になると結晶粒径が増加する。Zn-Mnをドープすると形状の良好なヒステリシス曲線が観察され,残留分極は2P_r=109μC/cm²,抗電場は2E_c=674kV/cmであった。さらに,Zn-Mnドーピングにより漏れ電流密度も改善されることが分かった。

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  ビスマス ,  過剰成分 ,  亜鉛 ,  マンガン ,  *添加物効果 ,  多結晶 ,  *誘電体薄膜 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  電流密度
準シソーラス用語： 同時添加 ,  漏れ電流密度

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： BiFeO3 ,  薄膜 ,  Zn ,  Mn ,  同時ドーピング ,  漏れ電流