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J-GLOBAL ID：201102240585142884   整理番号：11A1401935

p-型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3バルク合金の熱電特性に及ぼすAg_2Teドーピングの影響

Influence of Ag_2Te Doping on the Thermoelectric Properties of p-type Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3 Bulk Alloys

著者 (5件)： Shen Junjie (State key laboratory of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou) ,  Zhu Tiejun (State key laboratory of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou) ,  Yu Cui (State key laboratory of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou) ,  Yang Shenghui (State key laboratory of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou) ,  Zhao Xinbing (State key laboratory of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 25  号： 6  ページ： 583-587  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： (Ag_2Te)_x(Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3)_(1-x)(x=0,0.025,0.05,0.1)合金を,′′溶融-ボールミル粉砕-放電プラズマ焼結′′法を用いて合成した。輸送特性の測定の結果,Ag_2Teドーピングはサンプルの熱電特性の温度依存性に大変影響することが判明した。Ag_2Teをドーピングしたサンプルは,450K~550Kの温度範囲で良好な熱電特性を有していた。適切な量のAg_2Teによって,合金のフォノン散乱を効果的に増強することが可能で,それによってそれらのサンプルに対する低い熱伝導率が生じた。全温度範囲で,(Ag_2Te)_(0.05)(Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3)_(0.95)サンプルは,室温から575Kで0.2~0.3W/(mK)の範囲の最低の格子熱伝導率を示した。0.84の最大ZT値を,(Ag_2Te)_(0.05)(Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3)_(0.95)に対して575Kで得た。ドーピングしないものと比較して,ZT値はほぼ20%向上した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 合金 ,  電気特性 ,  *ドーピング ,  温度依存性 ,  散乱 ,  熱伝導率 ,  特性
準シソーラス用語： 熱電特性 ,  フォノン散乱 ,  格子熱伝導率 ,  温度範囲 ,  輸送特性

分類 (1件)： 化学工業一般  (YA01010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 型 ,  バルク ,  合金 ,  熱電特性 ,  ドーピング