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J-GLOBAL ID:201102240947711289   整理番号:11A0538257

高温パワーエレクトロニクスの技術の状態

State of the art of high temperature power electronics
著者 (40件):
資料名:
巻: 176  号:ページ: 283-288  発行年: 2011年03月15日 
JST資料番号: T0553A  ISSN: 0921-5107  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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高温パワーエレクトロニクスの技術の現状についてレビューした。2部構成で第一部では航空,自動車,宇宙探査および油井・ガス井などの工学的分野での応用について論じた。第二部では広いバンド幅を持つ半導体である3C-SiC,GH-SiC,4H-SiC,GaNおよびダイヤモンドの特性を比較した後,特にシリコンカーバイド半導体の技術の現状について詳しく解説した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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電気・電子部品一搬 
タイトルに関連する用語 (1件):
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