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J-GLOBAL ID：201102241122113725   整理番号：11A0099305

MBEによって成長させたSiのGaSb量子ドットにおける近赤外利得

Near-infrared gain in GaSb quantum dots in Si grown by MBE

著者 (5件)： JO M ,  YASUHARA N ,  SUGAWARA Y ,  KAWAMOTO K ,  FUKATSU S
資料名： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
巻： 278  号： 1-4  ページ： 142-145  発行年： 2005年 
JST資料番号： O3553A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： MBE ,  成長 ,  Si ,  GaSb ,  量子ドット ,  近赤外 ,  利得