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J-GLOBAL ID：201102241129189123   整理番号：11A0187474

TDEAH/TDEAZとH₂Oを用いたALD HfZrO_xの開発

Development of ALD HfZrO_x with TDEAH/TDEAZ and H₂O

著者 (15件)： SHI X. (IMEC) ,  TIELENS H. (IMEC) ,  TAKEOKA S. (IMEC) ,  NAKABAYASHI T. (IMEC) ,  NYNS L. (IMEC) ,  ADELMANN C. (IMEC) ,  DELABIE A. (IMEC) ,  SCHRAM T. (IMEC) ,  RAGNARSSON L. (IMEC) ,  SCHAEKERS M. (IMEC) ,  DATE L. (IMEC) ,  DATE L. (Applied Materials Belgium, Leuven, BEL) ,  SCHREUTELKAMP R. (IMEC) ,  SCHREUTELKAMP R. (Applied Materials Belgium, Leuven, BEL) ,  VAN ELSHOCHT S. (IMEC)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 158  号： 1  ページ： H69-H74  発行年： 2011年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラキスジエチルアミノ(TDEA)Hf/Zr(TDEAH/TDEAZ)とH₂Oを用いて原子層蒸着(ALD)によりHfZrO_x膜を作成した。HfO₂とZrO₂のALD反応サイクルを交互に変化させてナノ層状構造のHfZrO_xを成長させた。ALDサイクル数とともにHfZrO_x膜の厚みは増す。ハロゲン化物ベースのプロセスと比べ,TDEAとH₂Oを前駆体とする場合は低温で反応し,初期表面状態に関係なく,末端がHFである素地においても膜は急速に閉じる。Rutherford後方散乱で調べたZr含有量はZr/(Zr+Hf)のサイクル比に比例する。析出した膜は950°Cのアニールで結晶化する。膜は組成により単斜晶系から正方晶系に変化する。O₃の代りにH₂Oを使うと界面酸化物の成長を抑制し膜中のC含有量を減らす。HfZrO_xを半導体トランジスタのゲート誘電体として用いた場合,ゲート電流漏れは低い。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  ハフニウム錯体 ,  ジルコニウム錯体 ,  *酸化ジルコニウム ,  *酸化ハフニウム ,  前駆体 ,  水 ,  Rutherford後方散乱 ,  焼なまし ,  結晶化 ,  単斜晶系 ,  正方晶系 ,  ゲート【半導体】 ,  漏れ電流 ,  積層構造 ,  フッ化水素 ,  薄膜成長 ,  脂肪族アミン ,  第二アミン
準シソーラス用語： *原子層蒸着 ,  アニーリング ,  積層状構造 ,  薄膜形成

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  界面化学一般  (CB12010J) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： ジエチルアミン

タイトルに関連する用語 (3件)： H2O ,  ALD ,  開発