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J-GLOBAL ID：201102241213677826   整理番号：11A0398845

短周期InGaN/GaN超格子による530~560nm範囲のInGaN/GaN/AlGaN高効率発光ダイオード

High-Efficiency InGaN/GaN/AlGaN Light-Emitting Diodes with Short-Period InGaN/GaN Superlattice for 530-560nm Range

著者 (9件)： LUNDIN W. V. ,  NIKOLAEV A. E. ,  SAKHAROV A. V. ,  ZAVARIN E. E. ,  USOV S. O. ,  SIZOV V. S. ,  ZAKGEIM A. L. ,  CHERNYAKOV A. E. ,  TSATSUL’NIKOV A. F.
資料名： Technical Physics Letters  (Technical Physics Letters)
巻： 36  号： 11  ページ： 1066-1068  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： H0665A  ISSN： 1063-7850  CODEN： TPLEED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  アルミニウム化合物 ,  量子効率 ,  化合物半導体 ,  超格子 ,  量子井戸 ,  エネルギー変換効率 ,  *窒化ガリウム ,  エレクトロルミネセンス
準シソーラス用語： InGaN ,  発光効率 ,  *窒化インジウムガリウム ,  *窒化アルミニウムガリウム

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 短周期 ,  InGaN ,  GaN ,  超格子 ,  AlGaN ,  高効率 ,  発光ダイオード