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J-GLOBAL ID：201102241695346317   整理番号：11A0601452

CuGa_xS_yO_z合金薄膜の電気化学蒸着および特性化

Electrochemical deposition and characterization of CuGa _x S _y O _z alloy thin films

著者 (2件)： CHOWDHURY Supria (Dep. of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN) ,  ICHIMURA Masaya (Dep. of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Inst. of Technol., Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, JPN)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 13  号： 4  ページ： 252-256  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水溶液からの一段電気化学蒸着によりフッ化物ドープ型スズ酸化物被覆ガラス上にCuGa_xS_yO_z合金薄膜を作製する。この膜を,水溶液中で六つの異なるCu-Ga比(Cu/Ga=3/2,1/1,1/2,1/4,1/12および1/30)で蒸着した。この膜の組成,表面形態,光感受性および光透過に及ぼすCu/Ga比の影響を研究した。Cuリッチ薄膜とGaリッチ薄膜の両方の蒸着に成功した。これらの蒸着膜のギャップエネルギーはCu/Ga比に依存して1.5-2.8eVである。光電気化学測定により,これらの蒸着膜はCu/Ga=1/30で蒸着した膜を除いて主にp型であり,ほぼ真性の半導体として動作することを確かめる。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 真性半導体 ,  表面構造 ,  *電着 ,  *金属薄膜 ,  *太陽電池 ,  酸化ガリウム ,  酸化銅 ,  硫化銅 ,  *容量電圧特性 ,  走査電子顕微鏡 ,  光学顕微鏡法 ,  *銅化合物 ,  ガリウム化合物 ,  硫化物 ,  酸化物 ,  蒸着膜
準シソーラス用語： 電気化学蒸着 ,  合金薄膜

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 合金薄膜 ,  電気化学蒸着 ,  特性化