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J-GLOBAL ID：201102243374509730   整理番号：11A1619486

化学蒸着による絶縁基板上へのウエハスケールのグラフェン薄層の直接形成

Direct Formation of Wafer Scale Graphene Thin Layers on Insulating Substrates by Chemical Vapor Deposition

著者 (13件)： SU Ching-Yuan (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LU Ang-Yu (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LU Ang-Yu (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU Chih-Yu (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LI Yi-Te (Chung Yuan Christian Univ., Chung-Li, TWN) ,  LIU Keng-Ku (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  ZHANG Wenjing (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIN Shi-Yen (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  JUANG Zheng-Yu (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  ZHONG Yuan-Liang (Chung Yuan Christian Univ., Chung-Li, TWN) ,  CHEN Fu-Rong (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LI Lain-Jong (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LI Lain-Jong (National Chiao Tung Univ., HsinChu, TWN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 11  号： 9  ページ： 3612-3616  発行年： 2011年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂や石英などの2インチ絶縁基板上に高品質で均一なウエハスケールのグラフェン薄層を化学蒸着(CVD)で直接形成した。絶縁基板上に蒸着した厚みが約300nmの薄い触媒Cu層上にグラフェン層をCVDで蒸着すると,Cu層上で分解した炭素種がCu層の結晶粒界を通過してCu層と絶縁基板の間を拡散し,黒鉛化してグラフェン層が成長し,Cu層を機械的に除去することで大面積のグラフェン層を得ることができた。石英基板上に形成したグラフェン層の透過率は550nmにおいて約94%,シート抵抗は2kΩ/□であった。このグラフェン層をボトムゲートとした電界効果トランジスタの有効電界効果移動度は670cm²/Vsであった。

シソーラス用語： *単一層 ,  *薄膜成長 ,  *化学蒸着 ,  基板 ,  絶縁材料 ,  二酸化ケイ素 ,  石英 ,  ウエハ【IC】 ,  触媒 ,  金属薄膜 ,  銅 ,  粒界拡散 ,  黒鉛化 ,  透過率 ,  シート抵抗 ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  *グラフェン ,  絶縁体
準シソーラス用語： 結晶粒界拡散

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学蒸着 ,  絶縁基板 ,  ウエハ ,  スケール ,  グラフェン ,  薄層