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J-GLOBAL ID：201102243428055470   整理番号：11A1159854

ゲート最終プロセスに関する高K/金属(HfZrO/TiN)ゲートスタック完全性を改善するための紫外-オゾンによる新しい多重堆積多重室温アニーリング技術

A Novel Multi Deposition Multi Room-Temperature Annealing Technique via Ultraviolet-Ozone to Improve High-K/Metal (HfZrO/TiN) Gate Stack Integrity for a Gate-Last Process

著者 (14件)： WU L. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  YEW K.S. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ANG D.S. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  LIU W.J. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  LE T.T. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  DUAN T.L. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  HOU C.H. (TSMC, Hsinchu, TWN) ,  YU X.F. (TSMC, Hsinchu, TWN) ,  LEE D.Y. (TSMC, Hsinchu, TWN) ,  HSU K.Y. (TSMC, Hsinchu, TWN) ,  XU J. (TSMC, Hsinchu, TWN) ,  TAO H.J. (TSMC, Hsinchu, TWN) ,  CAO M. (TSMC, Hsinchu, TWN) ,  YU H.Y. (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 273-276  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)HfZrOを処理する,紫外-オゾンにおける室温での新しい多重堆積多重アニーリング(MDMA)を実証し,従来使用されてきた急速熱アニーリング(RTA)試料に較べて,等価酸化膜厚(EOT)ペナルティ無しでゲート誘電体完全性を大きく高めた。走査型トンネル顕微鏡及びX線光電子分光研究に基づいて,結晶粒界抑制及び酸素空格子点のヒーリングが,この優れた性能の理由であると結論した。この技術は,その低い熱収支により,ゲート最終集積スキームに非常に適していると考えられる。

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  *金属材料 ,  酸化ジルコニウム ,  ハフニウム化合物 ,  窒化物 ,  チタン化合物 ,  *化学蒸着 ,  *室温 ,  積層構造 ,  *焼なまし ,  *紫外線 ,  *オゾン処理 ,  膜厚 ,  酸化膜 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  結晶粒界 ,  空格子点 ,  熱収支 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： 金属ゲート ,  ALD【蒸着】 ,  等価酸化膜厚 ,  酸素空格子点 ,  TDDB

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (10件)： ゲート ,  プロセス ,  TiN ,  ゲートスタック ,  完全性 ,  オゾン ,  多重 ,  堆積 ,  室温 ,  アニーリング