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J-GLOBAL ID：201102243694473334   整理番号：11A1514331

ZnO低温ホモエピタキシーの成長機構

Growth mechanism of ZnO low-temperature homoepitaxy

著者 (7件)： PARK S. H. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN) ,  MINEGISHI T. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN) ,  LEE H. J. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN) ,  OH D. C. (Center for Optoelectronic Materials and Devices, Dep. of Defense Sci. and Technol., Hoseo Univ., 165 Sechul-ri ...) ,  KO H. J. (Photonics Device Team, Korea Photonics Technol. Inst., 971-35 Wolchul-dong, Buk-gu, Gwangju, 500-779, KOR) ,  CHANG J. H. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN) ,  YAO T. (Center for Interdisciplinary Res., Tohoku Univ., Aoba 6-3, Aramaki, Aobak-ku, Sendai 980-8578, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 110  号： 5  ページ： 053520  発行年： 2011年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 500°Cの低温範囲でのZnOホモエピタキシーの成長機構(高品質ZnO膜をヘテロエピタキシーで得るためには利用できない)を報告した。ZnO膜の一つの典型的セットを分子線エピタキシーによってZnO基板(バッファのない標準構造と高温(HT)ホモバッファと低温(LT)ホモバッファを持つ二つのバッファ構造)上(0001)に成長した。結果,LTホモバッファ構造は顕著な材料特性を有し,表面粗さは0.9nm,X線ロッキングカーブの半値全幅は13arcsec,ドナー束縛励起子の放出線幅は2.4meVであった。実験で得た電子移動度の理論解釈に関して,LTホモバッファ構造がHTホモバッファ構造に比べて転位散乱とのイオン化不純物散乱をそれほど受けないことが分かった。ZnO低温ホモエピタキシーでは,LTホモバッファが,ホモ界面における転位の完全終了誘起と,ZnO表面の汚染物と点欠陥の外部拡散抑制において重要な役割を果たし,結果としてホモ界面上の滑らかな濡れ層の形成を生じることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  低温 ,  *ホモエピタクシー ,  *機構 ,  *半導体薄膜 ,  MBE成長 ,  基板 ,  バッファ層 ,  表面粗さ ,  ロッキングカーブ ,  FWHM ,  自縄自縛励起子 ,  ドナー ,  スペクトル線幅 ,  キャリア移動度 ,  転位【結晶】 ,  散乱 ,  イオン化 ,  キャリア散乱 ,  界面 ,  表面 ,  点欠陥 ,  拡散
準シソーラス用語： 高品質 ,  電子移動度 ,  濡れ層 ,  不純物散乱

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  低温 ,  ホモエピタキシー ,  成長