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J-GLOBAL ID:201102244332595829   整理番号:11A1079902

2光子光電子放出分光法により研究した酸化初期段階のSi(001)表面上の励起電子状態

Excited electronic state on Si(001) surface at initial stage of oxidation studied by two-photon photoemission spectroscopy
著者 (5件):
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巻: 184  号: 3-6  ページ: 304-308  発行年: 2011年04月 
JST資料番号: D0266C  ISSN: 0368-2048  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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酸化初期段階のSi(001)表面上の励起電子状態を時間分解2光子光電子放出(2PPE)分光法により研究した。伝導バンド極小(CBM)からの過渡2PPE強度は,バルクの価電子バンドから伝導バンドへの直接励起の後,約1psで極大を見せた。これはバンド内散乱によりCBMへ光励起電子が蓄積して生じる。CBMの下0.6eV付近の2PPE信号は10ps付近で最大強度を見せる。この2PPE強度は表面酸化物から生じた非占有状態から生じると考えられる。CMBと酸化物状態両方の電子は,酸化が進行するに連れてより長い寿命を見せる。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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電子分光スペクトル 

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