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J-GLOBAL ID：201102245080339448   整理番号：11A1554220

単結晶シリコンの放電侵食作用機構に関する研究およびFEM解析

Study and FEM Analysis on Discharge Erosion Mechanism of Monocrystalline Silicon

著者 (5件)： Li Jian (Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Jiangsu, Nanjing) ,  Liu Zhidong (Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Jiangsu, Nanjing) ,  Qiu Mingbo (Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Jiangsu, Nanjing) ,  Tian Zongjun (Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Jiangsu, Nanjing) ,  Wang Wei (Nanjing Univ. of Aeronautics and Astronautics, Jiangsu, Nanjing)
資料名： Zhongguo Jixie Gongcheng  (Zhongguo Jixie Gongcheng)
巻： 21  号： 7  ページ： 847-851  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2243A  ISSN： 1004-132X  CODEN： ZJGOE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 単結晶シリコンに関する放電加工の侵食作用機構の推定を提案した。熱的応力が侵食作用操作の間,主導的役割を果たすと考えられた。単一パルスの放電モデルを,WEDMに関して確立して,単一パルス放電条件の温度分野および熱的応力分野を,有限要素法に基づいて解析した。シリコンの理論的侵食量を,温度分野および熱的応力分野の下で評価して,試験における実際の侵食量と比較した。結果は,単結晶シリコンEDMの侵食作用操作が侵食作用機構のこの推定よって解説することができることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *ケイ素 ,  作用機序 ,  侵食作用 ,  パルス放電 ,  有限要素法 ,  熱応力 ,  放電加工
準シソーラス用語： *単結晶シリコン ,  FEM解析 ,  作用機構 ,  熱的応力

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶シリコン ,  放電 ,  侵食作用 ,  研究 ,  FEM解析