抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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著者らは,以前独自開発の不活性ガスカーテン燃焼法による四角い断面を持つ二酸化モリブデンナノチューブの成長を世界で初めて報告した。今回,新しい角型ナノチューブの成長法を考案し,実験を行った結果,従来より低い成長温度でより小さな角型口径ナノチューブが広範囲に成長できることを見出した。従来の不活性ガスカーテン燃焼法では,燃焼炎照射は基板に対して上向きであったのに対して,今回は,垂直下向きとした。また,MoO
2ソースとして持ちいられるMo板とSiスペーサの空間に10mm角Mo基板を設置した。角型ナノチューブの成長は,走査型電子顕微鏡(SEM)とエネルギー分散型X線分析(EDS)により確認した。500°C以下の成長温度では,断面口径が小さくかつ緻密に成長することが分った。