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J-GLOBAL ID：201102245515952449   整理番号：11A1643750

単層グラフェン膜/シリコンナノワイヤー配列のSchottky接合太陽電池

Monolayer graphene film/silicon nanowire array Schottky junction solar cells

著者 (12件)： XIE Chao (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China) ,  LV Peng (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China) ,  NIE Biao (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China) ,  JIE Jiansheng (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China) ,  ZHANG Xiwei (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China) ,  WANG Zhi (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China) ,  JIANG Peng (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China) ,  HU Zhizhong (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China) ,  LUO Linbao (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China) ,  ZHU Zhifeng (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China) ,  WANG Li (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China) ,  WU Chunyan (School of Electronic Sci. and Applied Physics, Hefei Univ. of Technol., Hefei Anhui 230009, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 13  ページ： 133113  発行年： 2011年09月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層グラフェン(MLG)薄膜とSiナノワイヤー(SiNW)アレイを組み合わせることによって,Schottky接合太陽電池を構築した。顕著な太陽電池特性を,p-MLG/n-SiNWsとn-MLG/p-SiNWs構造の両方を持つデバイスを用いて調べた。光吸収と表面のキャリア再結合のバランスにより,中位の長さのSiNWアレイ製の素子は,より良い性能を示し,さらに,適切な表面処理やドーピングでMLG伝導率を高めることにより性能を改善できた。最終的には,SiNW配列の隙間をグラフェン懸濁液で充填によって,最大2.15パーセントの光電変換効率が得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *ナノワイヤ ,  配列 ,  半導体金属接合 ,  *太陽電池 ,  半導体薄膜 ,  *効率 ,  表面処理 ,  ドーピング ,  素子構造 ,  懸濁液
準シソーラス用語： *単層グラフェン ,  ショットキー接合 ,  *光電変換効率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層 ,  グラフェン膜 ,  シリコンナノワイヤー ,  Schottky接合 ,  太陽電池