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J-GLOBAL ID：201102246312140585   整理番号：11A0180126

100秒以上の寿命を持つ電気的に読出し可能な核スピンメモリにおける電子スピン記憶

Electronic Spin Storage in an Electrically Readable Nuclear Spin Memory with a Lifetime >100 Seconds

著者 (4件)： MCCAMEY D. R. (Univ. Utah, UT, USA) ,  VAN TOL J. (Florida State Univ., FL, USA) ,  MORLEY G. W. (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  BOEHME C. (Univ. Utah, UT, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 330  号： 6011  ページ： 1652-1656  発行年： 2010年12月17日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短寿命の電子スピン情報を長寿命の核スピンに記憶させ,電気的にスピン情報を読み出す核スピンメモリを提案した。強磁場下では電子スピンと核スピンの積の状態は固有状態に極めて近く,それらの間の遷移はスピン共鳴によって励起することができる。また,無視できない核Zeemanエネルギーと接触超微細相互作用の存在とにより,スピン共鳴縮退が押し上げられ,4つの遷移を独立にアドレスすることが可能になる。実際に,³¹Pドープシリコン(Si:P)系を利用して,リンドナーの電子スピンの論理情報を核スピンに100秒以上記憶させることができ,電子スピンの寿命を超える時間周期で核スピンを2000回以上も繰返し電気的に読み出すことにも成功した。このメモリはスピントロニクスから量子情報処理までの広い応用が期待できる。

シソーラス用語： *記憶装置 ,  *リン31 ,  *ドーピング ,  ケイ素 ,  電子スピン ,  超微細相互作用 ,  Zeeman効果 ,  情報処理 ,  スピントロニクス ,  ENDOR ,  *磁気共鳴
準シソーラス用語： *核スピンメモリ ,  *量子メモリ ,  *量子情報処理

分類 (2件)： 磁気共鳴・磁気緩和一般  (BM07010T) ,  その他の情報工学基礎理論  (JB06000C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 寿命 ,  読出し ,  核スピン ,  電子スピン