文献

J-GLOBAL ID：201102246549685489   整理番号：11A0397155

フラッシュメモリ用の新規TCG-SGT(tri-control gate surrounding gate transistor)不揮発性メモリセル

A novel tri-control gate surrounding gate transistor(TCG-SGT) nonvolatile memory cell for flash memory

著者 (4件)： OHBA T ,  NAKAMURA H ,  SAKURABA H ,  MASUOKA F
資料名： SOLID-STATE ELECTRONICS
巻： 50  号： 6  ページ： 924-928  発行年： 2006年 
JST資料番号： O6153A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： フラッシュメモリ ,  TRI ,  不揮発性メモリ ,  セル