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J-GLOBAL ID：201102247792022621   整理番号：11A0915569

収束ビーム電子回折によるSi/SiGeナノ構造における局所Ge濃度の研究

Investigation of the local Ge concentration in Si/SiGe nanostructures by convergent-beam electron diffraction

著者 (6件)： RUH E. (PSI, Villigen, CHE) ,  SIGG H.C. (PSI, Villigen, CHE) ,  RUH E. (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  MUELLER E. (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  MUSSLER G. (FZ Juelich, Juelich, DEU) ,  GRUETZMACHER D. (FZ Juelich, Juelich, DEU)
資料名： Ultramicroscopy  (Ultramicroscopy)
巻： 110  号： 10  ページ： 1255-1266  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W0972A  ISSN： 0304-3991  CODEN： ULTRD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： 収束 ,  ビーム ,  電子回折 ,  Si ,  SiGe ,  ナノ構造 ,  Ge ,  研究