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J-GLOBAL ID：201102248560025965   整理番号：11A0084642

横方向に超過成長したAlN上の高効率AlGaN系UV光発振ダイオード

High-efficiency AlGaN-based UV light-emitting diode on laterally overgrown AlN

著者 (11件)： NAGAMATSU K ,  OKADA N ,  SUGIMURA H ,  TSUZUKI H ,  MORI F ,  IIDA K ,  BANDO A ,  IWAYA M ,  KAMIYAMA S ,  AMANO H ,  AKASAKIA I
資料名： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
巻： 310  号： 7-9  ページ： 2326-2329  発行年： 2008年 
JST資料番号： O3553A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 横方向 ,  過成長 ,  AlN ,  高効率 ,  AlGaN ,  UV光 ,  ダイオード