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J-GLOBAL ID：201102248818305275   整理番号：11A1492319

多元同時RFスパッタ法によるIn_XGa_1-XN薄膜の作製とその評価 IV

著者 (7件)： 日比野峻 (岐阜大 工) ,  加藤好徳 (岐阜大 工) ,  片山竜一 (岐阜大 工) ,  西脇啓介 (岐阜大 工) ,  大橋史隆 (岐阜大 工) ,  伊藤貴司 (岐阜大 工) ,  野々村修一 (岐阜大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.2A-ZG-11  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： RFスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  電気伝導率 ,  光電流 ,  暗電流 ,  スペクトル ,  光透過 ,  太陽電池 ,  エネルギー ,  バンドギャップ ,  バンドギャップエネルギー ,  光透過スペクトル ,  窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： InGaN

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFスパッタ法 ,  薄膜 ,  作製 ,  評価