ELIAS D. C. について
Univ. Manchester, Manchester, GBR について
GORBACHEV R. V. について
Univ. Manchester, Manchester, GBR について
MAYOROV A. S. について
Univ. Manchester, Manchester, GBR について
MOROZOV S. V. について
Inst. Microelectronics Technol., Chernogolovka, RUS について
ZHUKOV A. A. について
Univ. Manchester, Manchester, GBR について
BLAKE P. について
Univ. Manchester, Manchester, GBR について
PONOMARENKO L. A. について
Univ. Manchester, Manchester, GBR について
GRIGORIEVA I. V. について
Univ. Manchester, Manchester, GBR について
NOVOSELOV K. S. について
Univ. Manchester, Manchester, GBR について
GUINEA F. について
CSIC, Madrid, ESP について
GEIM A. K. について
Univ. Manchester, Manchester, GBR について
Nature Physics について
単一層 について
電子相関 について
Landau理論 について
Shubnikov-de Haas効果 について
効果 について
電子スペクトル について
Fermi準位 について
サイクロトロン共鳴 について
キャリア密度 について
グラフェン について
Diracコーン について
多体効果 について
サイクロトロン質量 について
半導体薄膜 について
表面の電子構造 について
懸垂 について
グラフェン について
相互作用効果 について
再成形 について
Diracコーン について