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J-GLOBAL ID：201102249308890439   整理番号：11A0404419

CaCu₃Ti₄O₁₂薄膜の化学溶液成長

Chemical solution deposition of CaCu₃Ti₄O₁₂ thin film

著者 (2件)： SAJI Viswanathan S (Chosun Univ., Gwangju, KOR) ,  CHOE Han Cheol (Chosun Univ., Gwangju, KOR)
資料名： Bulletin of Materials Science  (Bulletin of Materials Science)
巻： 33  号： 3  ページ： 203-207  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： T0142A  ISSN： 0250-4707  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： インド (IND)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)薄膜の化学溶液成長,スピンコート及び急速熱処理について報告した。Caアセチルアセトナート,硝酸銅及びチタニウムブトキシドを2-メトキシエタノールに溶解して前駆体溶液とした。スピンコート後50°C/秒で500°Cに加熱して熱分解後,再度コーティングを3回繰り返し,700~800°Cで8分加熱した。X線回折から750°CでCCTO純相が生成し,(220)優先配向していた。膜厚は400nmで,下部電極との相互拡散は認められなかった。誘電率は2100,誘電損失は1kHzで0.06であった。

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  *カルシウム化合物 ,  *銅化合物 ,  *誘電体薄膜 ,  *溶液成長 ,  カルシウム錯体 ,  ジケトン ,  硝酸塩 ,  チタン化合物 ,  アルコラート ,  基板 ,  ホウ素 ,  ドーピング ,  ケイ素 ,  スピンコーティング ,  RTA【熱処理】 ,  焼結 ,  優先配向 ,  多結晶 ,  *誘電率 ,  誘電損失 ,  脂肪族ケトン
準シソーラス用語： CCTO【化合物】 ,  チタン酸カルシウム銅 ,  化学溶液析出 ,  硝酸銅 ,  誘電定数

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

物質索引 (2件)： アセチルアセトン ,  テトラブトキシチタン(IV)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  化学 ,  溶液成長