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J-GLOBAL ID：201102249483753363   整理番号：11A0300857

ICP-CVDによって蒸着したSiC_xN_y薄膜の調整および比較

Calibration and Comparison of SiC_xN_y Thin Films Deposited by ICP-CVD

著者 (6件)： DUNN K. (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  CHELOMENTSEV E. (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  WILSON P. (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  ROSCHUK T. (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  WOJCIK J. (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  MASCHER P. (McMaster Univ., Ontario, CAN)
資料名： Proceedings of the Annual Technical Conference. Society of Vacuum Coaters  (Proceedings of the Annual Technical Conference. Society of Vacuum Coaters)
巻： 53rd  ページ： 333-338  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0063B  ISSN： 0737-5921  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の組成の非晶質シリコン炭化窒化物(SiC_xN_y)膜を誘導結合プラズマ化学蒸着(ICP-CVD)によって成長させた。通常使われるSiH₄,CH₄およびN₂に加えて,ケイ素および炭素源として専売の新しいSiXtronポリマ前駆体を用い,これらの流速を変えることによって膜組成を直接制御した。可変角度分光偏光解析から,従来およびSiXtronガス膜両方に対して,誘電率はSiC_xおよびSiN_yの間でスムースに変化した。膜成長速度は,従来およびSiXtronの両方のガス系において,それぞれSiH₄およびSiXtronガス流に最も強く依存した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *窒化ケイ素 ,  薄膜 ,  誘導結合プラズマ ,  化学蒸着 ,  非晶質 ,  *薄膜成長 ,  シラン ,  窒素 ,  偏光解析法 ,  偏光角 ,  FTIR分光法 ,  アルカン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (4件)： ICP ,  CVD ,  蒸着 ,  薄膜