文献

J-GLOBAL ID：201102249789423634   整理番号：11A0777427

GaAsのLEC成長における流体および熱輸送の数値計算シミュレーション

Numerical simulation of flow and heat transfer in LEC growth of GaAs

著者 (2件)： KIKUTA Kazushige (TOMAKOMAI NATIONAL COLL. OF TECHNOL.) ,  TAKAKUWA Jun (TOMAKOMAI NATIONAL COLL. OF TECHNOL.)
資料名： 苫小牧工業高等専門学校紀要(Web)  (Memoirs of National Institute of Technology, Tomakomai College (Web))
号： 46  ページ： 1-6 (WEB ONLY)  発行年： 2011年03月 
JST資料番号： U0130A  ISSN： 2188-2398  CODEN： TKSKDU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物半導体GaAs結晶を液体カプセルチョクラルスキー(LEC)法により成長した。本研究では化合物半導体GaAs結晶の結晶成長感度の基礎理解を得るために,数値計算を行った。カプセル材料にB₂O₃を用いたメルトまたは結晶における,界面の形状を含む熱輸送を4から6インチの直径結晶に関して数値的に調査した。数値計算には,FLUENTソフトウェアを用いた。炉の部分的な内部ガス流が強く結晶成長に影響を与えることが分かった。結晶への熱輸送がガス流パターンにより変化するために,結晶における熱ストレスが強く影響した。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *LEC法 ,  酸化ホウ素 ,  *気液界面 ,  *形態 ,  *数値解析 ,  *気体流
準シソーラス用語： 形状 ,  ガス流

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  成長 ,  流体 ,  熱輸送 ,  数値計算 ,  シミュレーション