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J-GLOBAL ID:201102250010229274   整理番号:11A0125201

周囲空気で製作されたP3HT:PCBM太陽電池の電子ブロック層としてのスパッタされたNiO

Sputtered NiO as electron blocking layer in P3HT:PCBM solar cells fabricated in ambient air
著者 (6件):
資料名:
巻: 95  号:ページ: 735-739  発行年: 2011年02月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ITO頂部にスパッタされた5nmのNiO層が有効な電子ブロック層として使用される,P3HT:PCBMバルクヘテロ接合太陽電池が製作された。有機材料の処理を含む全ステップが,周囲空気で実行された。AM1.5G照度の1太陽下,このようなNiOセルは,類似条件下で製作されたPEDOT:PSSセルで示された3.1%と比較して,3.3%の電力変換効率をに示した。NiOセルに関して言えば,空気中の加工は,周辺空気で303hの時定数で劣化する,セルの隠された性能に有害でないことが観測された。これに反して,PEDOT:PSSセルは急速に劣化し,効率における損失は,NiOセルのものと比較して,29倍速くなることが示された。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 

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