文献

J-GLOBAL ID：201102250168344658   整理番号：11A1189626

還元ガスへのニートの酸化物半導体ガスセンサの応答に関する明示的な定式

Explicit formulation for the response of neat oxide semiconductor gas sensor to reducing gas

著者 (2件)： YAMAZOE Noboru (Fac. of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  SHIMANOE Kengo (Fac. of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 158  号： 1  ページ： 28-34  発行年： 2011年11月15日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 還元ガスへのニートの半導体ガスセンサの応答を,容積喪失および喪失領域内部の残存電子圧力の条件下での標的ガスの分圧の関数として,理論的に定式化するのに成功した。これは,吸着酸化物イオンの表面密度状態の代わりに抵抗の定常状態を考慮することで達成された。複数の物理化学的パラメータの組み合わせとして与えられる,ここに導いた方程式は実際の応答挙動の主要な特徴をよく再現する。この方程式は,重要な理論的ベースをもって,応答データの解析あるいは拡張を可能にすることを例示した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ガスセンサ ,  密度 ,  定式化 ,  分圧
準シソーラス用語： *酸化物半導体 ,  表面密度

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 還元ガス ,  ニート ,  酸化物半導体 ,  ガスセンサ ,  応答 ,  定式