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J-GLOBAL ID:201102250233270837   整理番号:11A1620361

シリコン中のマンガンナノシリサイドの磁気的性質に関する界面の重要性

Significance of the interface regarding magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon
著者 (7件):
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巻: 519  号: 24  ページ: 8505-8508  発行年: 2011年10月03日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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薄いシリコンオンインシュレータ(SOI)層に埋め込まれたマンガン(Mn)ナノシリサイドの磁気的性質を調査した。薄いSOI層へのMn+イオン注入と600-900°Cの熱アニーリングにより形成されたMnナノシリサイドは,5Kで弱い強磁性または超常磁性を示す。注入後熱アニーリングの温度を上げると,結果としてナノシリサイドの平均粒子サイズが増大し,飽和磁化の単調な減少が観察される。加えて,Mnナノシリサイドを囲むSiが選択的に除去されると磁化が強化されることが判明した。これらの結果は,磁気モーメントが実際にナノシリサイドから生じており,界面条件に敏感であることを示している。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の磁性  ,  半導体の結晶成長 
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