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J-GLOBAL ID：201102250488625426   整理番号：11A0930954

La_(0.3)Sr_(0.7)FeO_3薄膜の転位と光誘起特性

Transport and Photoinduced Properties of La_(0.3)Sr_(0.7)FeO)_3 Thin Films

著者 (4件)： Jin Kexin (Northwestern Polytechnical Univ., Shaanxi, Xi’an) ,  Zhao Shenggui (Xi’an Univ. of Sci. and Technol., Shaanxi, Xi’an) ,  Tan Xingyi (Northwestern Polytechnical Univ., Shaanxi, Xi’an) ,  Chen Changle (Northwestern Polytechnical Univ., Shaanxi, Xi’an)
資料名： Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng  (Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng)
巻： 39  号： 1  ページ： 76-79  発行年： 2010年 
JST資料番号： W0563A  ISSN： 1002-185X  CODEN： XJCGEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： La_(0.3)Sr_(0.7)FeO_3(LSFO)薄膜をRFマグネトロンスパッタ法で調製した。抵抗-温度関係から,薄膜が試験温度域で半導電性伝導に適していることがわかる。それは,鉄(3+)と鉄(5+)イオンの電荷秩序から生じる。電荷秩序転移はT=250Kで起こった。レーザ照射は薄膜の電気抵抗の低下を引き起こす。そして,光誘起抵抗の最大相対変化はT=190Kにおいて約56.3%である。可変領域ホッピング(VRH)モデルを用いる抵抗-温度関係の分析から,レーザ照射の内因性機構が電子の非局在化であることがわかる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *誘導 ,  転位【遺伝】 ,  薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  ホッピング伝導 ,  レーザ照射 ,  半導性 ,  状態 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： *光誘起 ,  マグネトロンスパッタ ,  可変領域ホッピング ,  半導電性 ,  非局在化

分類 (1件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  転位 ,  光誘起