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J-GLOBAL ID:201102250540901445   整理番号:11A1028280

ZnOナノ材料の合成と電界放出特性

Study of preparation and field emission properties of ZnO nanomaterial
著者 (4件):
資料名:
巻: 41  号:ページ: 288-291  発行年: 2010年 
JST資料番号: C2095A  ISSN: 1001-9731  CODEN: GOCAEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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各種の形態及び寸法をもつZnOナノ材料を水熱法により合成し,生成物の構造及び形態をそれぞれX線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM)により調べた。ZnO材料成長に対する影響因子を解析し,成長機構を論じた。各種形態をもつZnO配列の電界放出特性を調べた結果,ナノチューブZnOの電界放出性能が全ZnOナノ材料の中で最良であった。最大電流密度は0.2mA/cm2で,そのターンオン電界は2.5V/μmであった。この結果はZnOナノ材料の電界放出特性に関する実現可能な改良法を示している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (1件):
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塩基,金属酸化物 
タイトルに関連する用語 (3件):
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