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J-GLOBAL ID：201102250752295081   整理番号：11A0174245

超音波噴霧を用いたMOCVDによるチタン酸バリウム薄膜の作製

Preparation of Barium Titanate Thin Films by MOCVD Using Ultrasonic Nebulization

著者 (2件)： KIM Dong-Seok (Keimyung Univ., Daegu, KOR) ,  LEE Choon-Ho (Keimyung Univ., Daegu, KOR)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 406  ページ： 1474-1480  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaTiO₃薄膜をPt/Ti/SiO₂/Si及びSi基板上に蒸着し,蒸着特性を調べた。薄膜の組成は溶液中のBa/Tiのモル比を変えて制御した。Ti濃度が増すと共に,薄膜相はBa過剰Ba₂TiO₄からTi過剰BaTi₂O₅に変化した。Ba/Ti比が6:1~3.5:1の溶液を用いて,350~375°Cの基板温度で薄膜を作製できた。薄膜の誘電率は約115,残留分極は0.268μC/cm²,抗電力は37.5kV/cmであった。

シソーラス用語： *チタン酸バリウム ,  強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  MOCVD ,  超音波応用 ,  *誘電率 ,  残留分極 ,  強誘電性
準シソーラス用語： 強誘電体薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 超音波噴霧 ,  MOCVD ,  チタン酸バリウム ,  薄膜 ,  作製