文献

J-GLOBAL ID：201102251853565914   整理番号：11A0436896

レーザーアニーリングによる二ケイ化鉄の半導体-金属相転移と素子電極形成へのその応用

Semiconductor-metal phase transition of iron disilicide by laser annealing and its application to form device electrodes

著者 (13件)： OTOGAWA N ,  WANG Sn ,  KIHARA S ,  LIU Zx ,  FUKUZAWA Y ,  SUZUKI Y ,  OSAMURA M ,  OOTSUKA T ,  MISE T ,  MIYAKE K ,  NAKAYAMA Y ,  TANOUE H ,  MAKITA Y
資料名： THIN SOLID FILMS
巻： 461  号： 1  ページ： 223-226  発行年： 2004年 
JST資料番号： O6387A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザーアニーリング ,  ケイ化鉄 ,  金属相 ,  応用