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J-GLOBAL ID：201102252408135779   整理番号：11A0562908

ピラミッド状テクスチャーZnO薄膜の低価格調製及び水素化アモルファスシリコン太陽電池における前面電極としての応用

The Low-cost Preparation of Pyramid-like Texture ZnO Thin Films and the Application As a Front Electrode in Hydrogen Amorphous Silicon Solar Cells

著者 (5件)： HU Y. H. (Jingdezhen Ceramics Institution, Jingdezhen, CHN) ,  WANG L. F. (Jingdezhen Ceramics Institution, Jingdezhen, CHN) ,  XU H. J. (Jingdezhen Ceramics Institution, Jingdezhen, CHN) ,  CHEN Y. C. (Jingdezhen Ceramics Institution, Jingdezhen, CHN) ,  JIANG W. H. (Jingdezhen Ceramics Institution, Jingdezhen, CHN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7658  号： Pt.1  ページ： 76580D.1-76580D.6  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si薄膜太陽電池では,光トラッピングの影響が重要であり,テクスチャー高電気伝導高透過率の前面電極と高反射バック電極の組合せが必要である。従来のピラミッド状テクスチャーZnO薄膜作製は高価な装置を必要とするなどの問題があった。本稿では,低価格でピラミッド状テクスチャーZnO薄膜の作製を検討した。ゾル-ゲル法で,石英基板上にシードZnO:Al層をコーティングし,次にRFマグネトロンスパッタリングでZnO薄膜を作製した。作製した試料を四端子法,X線回折法,UV可視分光法,赤外分光法で評価した。この結果により,本手法でアモルファスシリコン太陽電池に使用できるピラミッド状テクスチャーZnO薄膜を作製できることを示した。X線回折の(101)ピークはピラミッド状テクスチャー形態に対応していた。

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  *酸化亜鉛 ,  *太陽電池 ,  電極材料 ,  光トラッピング ,  電気伝導 ,  ゾル-ゲル法 ,  アルミニウム ,  精密測定 ,  マグネトロンスパッタリング ,  赤外分光法 ,  X線回折
準シソーラス用語： Al ,  X線回折法 ,  ZnO ,  シリコン太陽電池 ,  四端子法 ,  水素化アモルファスシリコン ,  *薄膜形成

分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： ピラミッド ,  ZnO薄膜 ,  低価格 ,  調製 ,  水素化アモルファスシリコン ,  太陽電池 ,  前面電極 ,  応用