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J-GLOBAL ID：201102252565291989   整理番号：11A0136585

有機Zenerダイオード 有機半導体材料のギャップにおけるトンネリング

Organic Zener Diodes: Tunneling across the Gap in Organic Semiconductor Materials

著者 (9件)： KLEEMANN Hans (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  GUTIERREZ Rafael (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  LINDNER Frank (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  AVDOSHENKO Stanislav (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  MANRIQUE Pedro D. (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  LUESSEM Bjoern (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  CUNIBERTI Gianaurelio (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU) ,  CUNIBERTI Gianaurelio (POSTECH, Pohang, KOR) ,  LEO Karl (Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 12  ページ： 4929-4934  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型正孔輸送層,中間層,n型電子輸送層からなる三層構造の有機半導体積層構造の両面をアルミニウム電極で挟んだ有機Zenerダイオードを開発した。pinダイオードの空乏層の幅の制御により,正方向の電流電圧特性に影響することなく逆方向ブレークダウン電圧を-3~-15Vで正確に調節できる。ブレークダウンの指数的電流電圧特性および小さい温度依存性を隣接分子HOMO-LUMOトンネル機構により説明した。実測値をコヒーレントトンネリングおよびインコヒーレントホッピングを含む最小ハミルトニアンモデルにより記述した。パッシブマトリックスアレイにおけるクロストーク防止への応用を示唆した。

シソーラス用語： *Zenerダイオード ,  *有機半導体 ,  積層構造 ,  電極 ,  *PINダイオード ,  空乏層 ,  *電流電圧特性 ,  電圧 ,  温度依存性 ,  分子間相互作用 ,  HOMO ,  LUMO ,  トンネル効果 ,  コヒーレント状態 ,  ホッピング伝導 ,  ハミルトニアン系 ,  クロストーク
準シソーラス用語： アルミニウム電極 ,  インピーダンスマトリックス ,  *ブレークダウン電圧 ,  正孔輸送層 ,  電子輸送層

分類 (3件)： ダイオード  (NC03050R) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (4件)： Zenerダイオード ,  有機半導体材料 ,  ギャップ ,  トンネリング