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J-GLOBAL ID：201102253482491893   整理番号：11A1892485

化学蒸着によるグラフェン成長に対する多結晶Cu基板の効果

Effects of Polycrystalline Cu Substrate on Graphene Growth by Chemical Vapor Deposition

著者 (5件)： WOOD Joshua D. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  SCHMUCKER Scott W. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  LYONS Austin S. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  POP Eric (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA) ,  LYDING Joseph W. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 11  号： 11  ページ： 4547-4554  発行年： 2011年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CH₄とC₂H₄の二種類の炭素原料ガスによる多結晶Cu箔上のグラフェンのCVD成長を報告した。C₂H₄による700°Cと900°Cの部分成長,CH₄による1000°Cの完全成長および高温の後熱処理を行うことで,多結晶ファセット,結晶粒界,アニール双晶などの多数の構造を含むCu表面が得られた。Cuの(100)ファセットは多層グラフェンが低速で成長したが,(111)ファセットは純粋の単層グラフェンが高速で成長した。従って,(111)ファセットの多いCuは単層グラフェンの高速成長が可能になる。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *薄膜成長 ,  *化学蒸着 ,  *基板 ,  *銅 ,  *多結晶 ,  *結晶構造解析 ,  結晶粒界 ,  双晶 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子回折 ,  Raman分光法 ,  ファセット ,  表面粗さ ,  後熱処理 ,  グラファイト ,  成長速度 ,  アルカン ,  *グラフェン ,  単層グラフェン
準シソーラス用語： EBSD

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

物質索引 (2件)： エタン ,  メタン

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学蒸着 ,  グラフェン ,  成長 ,  多結晶 ,  Cu