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J-GLOBAL ID：201102253682575420   整理番号：11A1539001

CMOS互換不揮発ラッチにおけるプログラムおよび回復処理の最適化

Optimization of Program and Restore Operations in CMOS-Compatible Nonvolatile Latch

著者 (2件)： LEE Jun Gyu (Tohoku Univ.) ,  MASUI Shoichi (Tohoku Univ.)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2011  号： エレクトロニクスソサイエティ2  ページ： 123  発行年： 2011年08月30日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ラッチ回路 ,  *半導体集積回路 ,  不揮発性メモリ ,  最適化 ,  SRAM ,  電圧 ,  擾乱 ,  *CMOS集積回路 ,  閾値電圧 ,  改変
準シソーラス用語： *不揮発ラッチ

分類 (2件)： その他の電子回路  (NC05090X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： CMOS ,  回復 ,  最適化