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J-GLOBAL ID：201102253885710331   整理番号：11A0174235

SrRuO₃/TiO₂バッファ層を持つGaN上のBaTiO₃のエピタキシャル成長と強誘電性

Epitaxial Growth and Ferroelectricity of BaTiO₃ on SrRuO₃/TiO₂ Buffered GaN

著者 (5件)： LUO W.B. (Univ. Electronics Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  ZHU J. (Univ. Electronics Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  LI Y.R. (Univ. Electronics Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  ZHANG Y. (Univ. Electronics Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  CHEN H. (Univ. Electronics Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 406  ページ： 1400-1405  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (111)SrRuO₃(100)TiO₂バッファ層を用いて,(0001)GaN表面上に(111)BTO薄膜をエピタキシャル成長させた。ウルツ鉱型GaN上のペロブスカイト型BTO膜のエピタキシャル成長をX線回折により確認した。BTO膜は飽和強誘電性ヒステリシスループ,蝶形容量電圧特性,低い漏れ電流密度を示した。SrRuO₃/TiO₂バッファ層を用いてGaN上に良好な電気的性質を持つBaTiO₃膜を作製できることを実証した。

シソーラス用語： バッファ層 ,  窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  *チタン酸バリウム ,  *強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  エピタクシー ,  X線回折 ,  *強誘電性 ,  容量電圧特性 ,  漏れ電流 ,  電流密度 ,  ストロンチウム化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  酸化チタン
準シソーラス用語： *強誘電体薄膜 ,  ルテニウム酸ストロンチウム

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： TiO2 ,  バッファ層 ,  GaN ,  BaTiO3 ,  エピタキシャル成長 ,  強誘電性