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J-GLOBAL ID:201102254151935178   整理番号:11A1582236

AlGaInAs/InP量子井戸における高速可飽和吸収を用いたサブピコ秒パルス生成

Sub-Picosecond Pulse Generation using Fast Saturable Absorption in AlGaInAs/InP Quantum Wells
著者 (8件):
資料名:
巻: 23rd  ページ: 299-300  発行年: 2010年 
JST資料番号: T0931A  ISSN: 1092-8081  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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AlGaInAs/InP多重量子井戸構造において,波長変換に交差吸収変調を用いて,可飽和吸収体の高速回復時間を達成した。この吸収時間特性を利用した40GHzの受動的モードロックレーザを用いてサブピコ秒パルスを発生することに成功した。
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分類 (1件):
分類
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半導体レーザ 
タイトルに関連する用語 (4件):
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