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J-GLOBAL ID：201102254355170537   整理番号：11A0128905

III族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス

Wide-bandgap Semiconductor Devices using Group-III Nitride/SiC Heterointerface

著者 (4件)： 須田淳 (京都大学大学院工学研究科電子工学専攻) ,  三宅裕樹 (京都大学大学院工学研究科電子工学専攻) ,  木本恒暢 (京都大学大学院工学研究科電子工学専攻) ,  木本恒暢 (京都大学光・電子理工学教育研究センター)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 31  号： 12  ページ： 651-656 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaNあるいはAlNとSiCのヘテロ接合の調製およびその半導体デバイスへの応用に関する著者らの研究を紹介した。4H-SiCおよびGaNはワイドギャップ半導体であり,高い絶縁破壊電界と耐熱性を持つため次世代パワーデバイス材料として期待されているが,その性質上,増幅率の向上を図るにはホモ接合では限界があり,IV族以外とのヘテロ結合を用いる必要がある。著者らは分子線エピタキシー(MBE)によるSiC上の高品質III-Nの成長法を開発した。作成したGaN/SiCヘテロ接合はタイプIIのバンドラインアップを示した。次いで,AlGaN疑似混晶として,AlN/GaN超格子を用いてバンドラインアップをタイプIに制御することに成功し,III-N/SiC ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)において初めてのエミッタ接地電流増幅動作を実現した。

シソーラス用語： *HBT【トランジスタ】 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウム ,  第13族元素 ,  *炭化ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  容量電圧特性 ,  MBE成長 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (13件)：

• 1) 松波弘之編著:“半導体SiC技術と応用” (日刊工業新聞社,2003).
• 2) 荒井和雄・吉田貞史共著:“SiC素子の基礎と応用” (オーム社,2003).
• 3) K. Nonaka, A. Horiuchi, Y. Begoro, K. Iwanaga, S. Yokoyama, H. Hashimoto, M. Sato, Y. Maeyama, M. Shimizu and H. Iwakuro: Phys. Status Solidi A 206, 2457 (2009).
• 4) H. Kreomer: Proc. of IEEE 70, 13 (1982).
• 5) J. Pankove, S.S. Chang, H.C. Lee, R.J. Molnar, T.D. Mostakas and B. Van Zeghbroeck: Tech. Dig. IEDM, 389 (1994).

タイトルに関連する用語 (5件)： III族 ,  窒化物 ,  SiC ,  ヘテロ界面 ,  ワイドギャップ半導体