{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad01_expire_date}}
{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad02_expire_date}}
文献
J-GLOBAL ID:201102254355170537   整理番号:11A0128905

III族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス

Wide-bandgap Semiconductor Devices using Group-III Nitride/SiC Heterointerface
著者 (4件):
資料名:
巻: 31  号: 12  ページ: 651-656 (J-STAGE)  発行年: 2010年
JST資料番号: F0940B  ISSN: 0388-5321  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
GaNあるいはAlNとSiCのヘテロ接合の調製およびその半導体デバイスへの応用に関する著者らの研究を紹介した。4H-SiCおよびGaNはワイドギャップ半導体であり,高い絶縁破壊電界と耐熱性を持つため次世代パワーデバイス材料として期待されているが,その性質上,増幅率の向上を図るにはホモ接合では限界があり,IV族以外とのヘテロ結合を用いる必要がある。著者らは分子線エピタキシー(MBE)によるSiC上の高品質III-Nの成長法を開発した。作成したGaN/SiCヘテロ接合はタイプIIのバンドラインアップを示した。次いで,AlGaN疑似混晶として,AlN/GaN超格子を用いてバンドラインアップをタイプIに制御することに成功し,III-N/SiC ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)において初めてのエミッタ接地電流増幅動作を実現した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 
引用文献 (13件):
  • 1) 松波弘之編著:“半導体SiC技術と応用” (日刊工業新聞社,2003).
  • 2) 荒井和雄・吉田貞史共著:“SiC素子の基礎と応用” (オーム社,2003).
  • 3) K. Nonaka, A. Horiuchi, Y. Begoro, K. Iwanaga, S. Yokoyama, H. Hashimoto, M. Sato, Y. Maeyama, M. Shimizu and H. Iwakuro: Phys. Status Solidi A 206, 2457 (2009).
  • 4) H. Kreomer: Proc. of IEEE 70, 13 (1982).
  • 5) J. Pankove, S.S. Chang, H.C. Lee, R.J. Molnar, T.D. Mostakas and B. Van Zeghbroeck: Tech. Dig. IEDM, 389 (1994).
もっと見る
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る