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J-GLOBAL ID：201102255062845307   整理番号：11A1353874

プロセス技術変動

Process Technology Variation

著者 (9件)： KUHN Kelin J. (Intel Corp., OR, USA) ,  GILES Martin D. (Intel Corp., OR, USA) ,  BECHER David (Intel Corp., OR, USA) ,  KOLAR Pramod (Intel Corp., OR, USA) ,  KORNFELD Avner (Intel Corp., OR, USA) ,  KOTLYAR Roza (Intel Corp., OR, USA) ,  MA Sean T. (Intel Corp., OR, USA) ,  MAHESHWARI Atul (Intel Corp., OR, USA) ,  MUDANAI Sivakumar (Intel Corp., OR, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58  号： 8  ページ： 2197-2208  発行年： 2011年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去40年間,Moore則技術スケーリングにより,性能を5桁改善してきた。先端技術がMoore則の追求を続けるとともに,プロセス変動管理など多くの課題を克服する必要がある。半導体プロセスの他の限界領域と同様,プロセス技術変動課題の存在下でMoore則を満たすには,確立された継続的改善方法と革新技術を組み合せることを必要とする。最新トランジスタ技術におけるプロセス変動の重要性を検討し,フロントエンド変動源について概観した。また,32nmノードからの回路とメモリデータを含む,素子と回路変動変動測定方法について述べるとともに,文献からの最近の真性トランジスタ変動性能を比較した。リング発振器の歩留データおよび無秩序と体系的測定から,これらの努力により,Moore則スケーリングが最近の世代に維持されていることを示した。さらに,最近の発表からのベンチマーキング変動データは,新しいトランジスタ構造,誘電膜とゲート材料の続く改善など技術革新により,改善が可能であることを示した。

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *SRAM ,  *スケーリング【計数】 ,  *半導体プロセス ,  *変動 ,  電気回路 ,  リング発振器 ,  モデリング ,  ベンチマーク ,  歩留り ,  ゲート【半導体】 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： プロセス変動 ,  フロントエンド【回路】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： プロセス