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J-GLOBAL ID：201102255315785101   整理番号：11A0164074

電圧依存性応答効果の補償によるフォトダイオード非線形性の最小化

Minimizing Photodiode Nonlinearities by Compensating Voltage-Dependent Responsivity Effects

著者 (6件)： HASTINGS Alexander S. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  TULCHINSKY David A. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  WILLIAMS Keith J. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  PAN Huapu (Univ. Virginia, VA, USA) ,  BELING Andreas (Univ. Virginia, VA, USA) ,  CAMPBELL Joe C. (Univ. Virginia, VA, USA)
資料名： Journal of Lightwave Technology  (Journal of Lightwave Technology)
巻： 28  号： 21-24  ページ： 3329-3333  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： H0922A  ISSN： 0733-8724  CODEN： JLTEDG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトダイオードの歪みは電圧依存性応答に関連しており,フォトダイオードの相互変調歪は波長の関数として最小化できることを実証した。ここでは衝撃イオン化とFranz-Keldysh発振(FKO)の2つの電圧依存性応答効果を検討した。衝撃イオン化はバイアス電圧の関数として応答を増加させるが,FKO効果はバイアス電圧と入射波長の両方に依存する。長波長ではFKOは応答を波長の関数として減少させるので,両方の効果を互いに補償させて応答曲線の微係数の局所的な最小点を作ることができる。InGaAsのpinフォトダイオードの2次及び3次相互変調歪を測定し,入射波長を最適化することにより,2次歪で16dB,3次歪で7dBの改善を観測した。

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *非線形性 ,  光電流 ,  キャリア再結合 ,  電圧依存性
準シソーラス用語： *相互変調歪 ,  歪補償

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電圧依存性 ,  応答 ,  補償 ,  フォトダイオード ,  非線形性 ,  最小化