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J-GLOBAL ID：201102255644563950   整理番号：11A0398804

テルル化鉛中のバナジウム不純物状態の特徴

Features of Vanadium Impurity States in Lead Telluride

著者 (9件)： ARTAMKIN A. I. (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  DOBROVOLSKY A. A. (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  VINOKUROV A. A. (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  ZLOMANOV V. P. (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  GAVRILKIN S. Y. (Lebedev Physical Inst., Russian Acad. Sci., Moscow, RUS) ,  IVANENKO O. M. (Lebedev Physical Inst., Russian Acad. Sci., Moscow, RUS) ,  MITZEN K. V. (Lebedev Physical Inst., Russian Acad. Sci., Moscow, RUS) ,  RYABOVA L. I. (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  KHOKHLOV D. R. (Moscow State Univ., Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 12  ページ： 1543-1547  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化鉛(PbTe)の固溶体ベースナローギャップ半導体は,中間と遠赤外(IR)領域のオプトエレクトロニクスに応用される。本研究では,例えば,PbTe:Vの輸送と磁気特性のみならずエネルギースペクトルにおいて,不純物間相関の可能な発現を明らかにするために様々な不純物量の単結晶の電気特性と磁気特性を交流と直流電場中で広い温度範囲において研究した。PbTe中のバナジウムはドナー特性を表わし,伝導バンド底の下約20meVのバンドギャップに不純物準位を形成した。低温では,電子濃度が10⁸cm^-3まで減少し,試料は半絶縁性状態に変換した。バナジウム含有量N_V≦0.21at%の試料では,抵抗率,電子濃度,移動度の温度依存性はほぼ一致していた。

シソーラス用語： *テルル化鉛 ,  *バナジウム ,  *不純物 ,  固溶体 ,  半導体 ,  遠赤外線 ,  オプトエレクトロニクス ,  磁気的性質 ,  エネルギー分布 ,  相関 ,  単結晶 ,  電気特性 ,  交流 ,  直流 ,  電場 ,  ドナー ,  伝導バンド ,  バンドギャップ ,  不純物準位 ,  電子密度 ,  電気的性質 ,  電気抵抗率 ,  キャリア移動度 ,  温度依存性
準シソーラス用語： エネルギースペクトル ,  中間赤外線 ,  半絶縁性 ,  輸送特性

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： テルル化鉛 ,  バナジウム ,  不純物状態