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J-GLOBAL ID：201102256019849516   整理番号：11A0860400

温度依存性を持つSiC電力PiNとSchottkyダイオードに対する順方向伝導の簡略モデル

SIMPLIFIED MODELS OF FORWARD CONDUCTION FOR SiC POWER PiN AND SCHOTTKY DIODES WITH TEMPERATURE DEPENDENCY

著者 (2件)： ABUISHMAIS Ibrahim (Norwegian Univ. Sci. and Technol., NOR) ,  UNDELAND Tore M. (Norwegian Univ. Sci. and Technol., NOR)
資料名： IET Conference Publications  (IET Conference Publications)
巻： 563 Vol.2  ページ： 703-708  発行年： 2010年 
JST資料番号： B0665A  ISSN： 0537-9989  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCは過去20年の間に大きな進歩を達成した主要なワイドバンドギャップ材料であるが,今日の市場で入手できるSiCデバイスの種類は限られている。本研究ではSiCを使ったPiNとSchottky障壁型という2つのタイプのパワーダイオードの順方向伝導特性のモデルを提案した。このモデルにはMatlab/Simulinkを使用し,PiNダイオードの簡略挙動モデルを広い温度範囲に拡張した。主要モデルパラメータはデバイスの実測特性から抽出し,測定できない温度におけるデバイス特性が予測できることを実証した。また温度依存性を持つ基本的Schottkyダイオードモデルを開発し,ダイオードの飽和電流と障壁高さにおよぼす温度の効果を考察した。

シソーラス用語： *PINダイオード ,  *Schottky障壁ダイオード ,  モデリング ,  電気伝導 ,  炭化ケイ素 ,  バンドギャップ ,  高さ ,  電流
準シソーラス用語： *SiC ,  ワイドバンドギャップ ,  障壁高さ ,  飽和電流

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 温度依存性 ,  SiC ,  Schottkyダイオード ,  順 ,  伝導 ,  簡略 ,  モデル