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J-GLOBAL ID：201102256326794150   整理番号：11A1228167

ワイドバンドギャップCu_1+xAl_1-xS₂多結晶のp型電気伝導度の高い増強

Highly enhanced p-type electrical conduction in wide band gap Cu_1+x Al_1-x S₂ polycrystals

著者 (3件)： HUANG Fu-qiang (State Key Lab. of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure and CAS Key Lab. of Materials for Energy ...) ,  LIU Min-ling (State Key Lab. of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure and CAS Key Lab. of Materials for Energy ...) ,  YANG Chongyin (State Key Lab. of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure and CAS Key Lab. of Materials for Energy ...)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 95  号： 10  ページ： 2924-2927  発行年： 2011年10月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 潜在的に重要なp型透明電極材料を太陽電池に適用して,3eVを超えるバンドギャップを有するCuとZnをドープした一連のCuAlS₂試料を作製し,それらの光学的,電気的特性を精査した。8mol%のCuドーピング濃度で250Scm^-1までの高い電気伝導度を達成したが,この高い値は,p型透明材料で知られている最も高い値の中にあり,太陽電池内の正孔の収集に十分な値であった。また,同じドーピング濃度で21.2cm²V^-1s^-1の高い移動度を達成した。Cuドーピングによる電気伝導度の増強の起源,並びに,構造と光電気特性との関係を解明した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  *太陽電池 ,  *透明電極 ,  *電気伝導率 ,  化合物半導体 ,  多結晶 ,  *硫化物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *銅化合物 ,  *ドーピング ,  銅 ,  亜鉛 ,  P型半導体 ,  *キャリア移動度
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイドバンドギャップ ,  多結晶 ,  電気伝導度 ,  増強