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J-GLOBAL ID：201102256449950903   整理番号：11A1227706

集積スマート温度センサ用の閾値下CMOS回路からなる低電力温度-周波数変換

Low-power temperature-to-frequency converter consisting of subthreshold CMOS circuits for integrated smart temperature sensors

著者 (3件)： UENO Ken (Dep. of Electrical Engineering, Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN) ,  ASAI Tetsuya (Dep. of Electrical Engineering, Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN) ,  AMEMIYA Yoshihito (Dep. of Electrical Engineering, Hokkaido Univ., Sapporo 060-0814, JPN)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 165  号： 1  ページ： 132-137  発行年： 2011年01月 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.35μmの標準CMOS工程を用いて低電力温度検知発振器を開発した。この発振器は絶対温度に比例する周波数(PTAT周波数)のクロックパルスを発生する。発振器は外部標準クロックにより制御するPTAT電流発生器と外部基準電圧でバイアスした周波数同期ループからなる。PTAT電流発生器は閾値下領域で動作するMOSFETの三角波電流特性を利用する。理論解析と実験結果は回路を≦10μWの低消費電力の温度センサとして利用できることを示した。出力周波数の温度係数は素子パラメータの変化に無関係であり,従ってセンサ回路は単点較正のみで利用できる。温度10~80°Cにおける温度検知誤差は-1.8~+1°Cである。この温度センサは閾値下動作する低電力LSIへの応用に適する。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *温度センサ ,  *半導体集積回路 ,  発振器 ,  電流発生 ,  三角波 ,  温度係数 ,  LSI【IC】 ,  周波数同期 ,  *消費電力
準シソーラス用語： *CMOS回路 ,  スマートセンサ ,  周波数温度係数 ,  *低電力

分類 (2件)： 温度測定,温度計  (AD06010K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集積 ,  温度センサ ,  閾値 ,  CMOS回路 ,  低電力 ,  周波数変換