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J-GLOBAL ID：201102256520404621   整理番号：11A0154143

Pr_0.7Sr_0.3MnO₃エピタキシャル薄膜の電気抵抗率と電場効果

Electroresistance and field effects in epitaxial thin films of Pr_0.7Sr_0.3MnO₃

著者 (2件)： GAO J. (Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  LIU H. Y. (Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 101  号： 4  ページ： 661-664  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pr_1-xSr_xMnO₃は外乱に対して極めて敏感である。本研究ではレーザアブレーションによりSrTiO₃基板上に成長させたPr_0.7Sr_0.3MnO₃(PSMO)薄膜の電場効果と電流効果を調べた。膜は優れた磁気抵抗を示した。電流を加えると,抵抗が顕著に低下し,強い電気抵抗効果を示した。金属-絶縁体転移における抵抗変化比は約33%であった。平面電界効果構成を用いて,静電場により金属-絶縁体転移ピークを有意に変調した。電場変調の符号はゲート電圧の極性により変化した。

シソーラス用語： マンガン酸塩 ,  プラセオジム化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  *エピタクシー ,  *電気抵抗率 ,  電場効果 ,  レーザアブレーション ,  磁気抵抗 ,  *金属-絶縁体転移 ,  温度依存性 ,  X線回折 ,  特性
準シソーラス用語： 輸送特性

分類 (1件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  電気抵抗率 ,  電場効果