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J-GLOBAL ID：201102256735581710   整理番号：11A0185096

分光エリプソメトリによるSiC半導体の酸化界面評価と酸化メカニズム解明

Characterization of oxidizing interface and elucidation of oxidation mechanism of SiC semiconductor using spectroscopic ellipsometry

著者 (3件)： 土方泰斗 (埼玉大 大学院理工学研究科) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院理工学研究科) ,  吉田貞史 (産業技術総合研 先進パワーエレクトロニクス研究セ)
資料名： 埼玉大学工学部紀要 第1部 論文集(Web)  (埼玉大学紀要 工学部 第1部 論文集(Web))
号： 43  ページ： 17-21 (WEB ONLY)  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： U0089A  ISSN： 1880-4446  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 分光エリプソメータを用いて,SiC半導体の酸化界面構造と酸化メカニズムの解明を試みた。界面層膜厚を正確に求めるための解析的手法を検討し,多入射角測定に対する解析結果によって手法の妥当性を検証した。SiC/酸化膜界面を観察した結果,界面層の光学常数のエネルギー分散形はSiCのそれと同様であり,誘電関数実部がややSiCより大きく,虚部がSiCと一致することが明らかになった。界面層光学定数の酸化膜厚依存性を調べ,厚さ約40nmにおいて誘電関数虚数部の立ち上がりが低エネルギー側にシフトすることを確認した。その場分光エリプソメータを用いてSiCの酸化膜成長速度を様々な酸化温度に対して実時間測定した。得られた成長速度データに対し,著者等によるSiCの酸化モデルを適用し,Si面,C面ともに全ての酸化温度における全膜厚領域の酸化膜成長速度データを再現した。以上の酸化界面層や酸化メカニズムに対する知見を基に,界面構造や界面準位発生のメカニズムについて考察した。酸化中のSiおよびSiC層側への放出によってMOS界面に対する様々な実験的知見を矛盾無く説明できることを示した。

シソーラス用語： *偏光解析法 ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *表面構造 ,  *酸化膜 ,  *膜厚 ,  計測 ,  光学定数 ,  成長速度

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分光エリプソメトリ ,  SiC ,  酸化 ,  界面 ,  評価 ,  メカニズム